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Gigabyte AORUS 5000E 1TB M.2 NVMe PCIe Gen4 x4

Gigabyte
AG450E1024-G
96,90 €
sin IVA 80,08 €
    Envío en 4-5 días   (+info)

Mejora tu experiencia de juego
Construido con un controlador de alta calidad y flash 3D TLC NAND, el SSD AORUS Gen4 5000E ofrece un rendimiento de lectura secuencial de hasta 5000 MB/s y escritura secuencial de 4600 MB/s. Al utilizar la tecnología Host Memory Buffer, el controlador SSD puede acceder a la DRAM del host sin pérdida de rendimiento. En cuanto a las características, AORUS Gen4 5000E SSD es compatible con las tecnologías TRIM, SMART y Over-Provision para mejorar la confiabilidad y durabilidad de los SSD. AORUS Gen4 5000E SSD permite a los usuarios disfrutar de una experiencia de juego más fluida y rápida con más eficiencia energética.


+ PCIe 4.0 x4, interfaz NVMe 1.4
+ Velocidad de lectura secuencial: hasta 5000 MB/s**
+ Velocidad de escritura secuencial: hasta 4600 MB/s**
+ HMB (búfer de memoria del host) compatible
+ Compatible con TRIM & SMART
+ Eficiencia energética


Flash NAND seleccionado para alto rendimiento
Flash NAND TLC 3D de alta velocidad seleccionado (1600+ MT/s)
La ultra alta velocidad─1600+ MT/s de rendimiento─3D TLC NAND, se seleccionan según criterios críticos, combinados con las optimizaciones de firmware de AORUS Gen4 5000E SSD, conducen a un rendimiento superior.


Velocidad de flash NAND (MT/s)
Mejore la eficiencia y la capacidad de respuesta
Equipado con una sólida combinación de controlador y 3D TLC NAND de nueva generación, el SSD AORUS Gen4 5000E ofrece velocidades increíbles: hasta 5000 MB/s para lectura secuencial y hasta 4600 MB/s para escritura secuencial. El rendimiento de lectura secuencial de las SSD PCIe 4.0 es hasta un 30 % más rápido que el de las SSD PCIe 3.0. AORUS Gen4 5000E SSD lo coloca en el carril rápido de la informática.




ESPECIFICACIONES:
AORUS Gen4 5000E SSD 1TB

Interfaz
PCI-Express 4.0x4, NVMe 1.4

Factor de forma
M.2 2280

Capacidad total
1000GB

NAND
Flash NAND TLC 3D

Velocidad de lectura secuencial
Hasta 5000 MB/s

Velocidad de escritura secuencial
Hasta 4600 MB/s

Dimensión
80x22x2,3mm

Tiempo medio entre fallas (MTBF)
1,5 millones de horas

Consumo de energía (activo)
Promedio : R : 4.2W / W : 4.3W

Consumo de energía (inactivo) (ASPT activado)
20 mW

Temperatura (en funcionamiento)
0°C a 70°C

Temperatura (almacenamiento)
-40°C a 85°C

Capacidad 1 TB
Formato disco M.2
Interfaz M.2 PCIe Gen4

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