Samsung 990 Pro 4TB SSD M.2 NVMe PCIe Gen4 x4

- SSD NVMe de Samsung con tecnología de controlador interno de nuevo diseño
- Velocidad de lectura/escritura secuencial de hasta 7.450 / 6900 MB/s
- SSD de bajo consumo, control térmico fiable

Velocidad vertiginosa, victoria sin fin
Experimente un rendimiento rápido y duradero de PCIe 4.0. El control de calor inteligente del controlador interno ofrece una eficiencia energética suprema mientras mantiene la velocidad y el rendimiento para ayudaro a mantenerese en la cima del juego.

Velocidad PCIe 4.0 maximizada
Gran aumento de velocidad. Velocidades de lectura/escritura aleatoria hasta un 40 % y un 55 % más rápidas que el 980 PRO: hasta 1400K/1550K IOPS, mientras que las velocidades de lectura/escritura secuencial de hasta 7450/6900 MB/s alcanzan un rendimiento casi máximo de PCIe® 4.0². Vuela alto en juegos, edición de video y 3D, análisis de datos y más.

Increíble eficiencia energética
Rendimiento más eficiente en el consumo de energía. Un mayor rendimiento suele consumir más energía. Sin embargo, el 990 PRO consume menos energía con un rendimiento mejorado de más del 50 % por vatio en comparación con el 980 PRO³. Este diseño de bajo consumo ofrece un rendimiento PCIe® 4.0 excepcional posible con una eficiencia energética óptima.

Solución térmica inteligente
Acelera más allá del calor. El controlador recubierto de níquel y el algoritmo de control térmico de vanguardia ayudan a administrar el calor para un rendimiento estable. La etiqueta del difusor de calor controla el calor del chip NAND, mientras que Dynamic Thermal Guard mantiene las temperaturas estables.

El creador de campeones
Una experiencia de juego increíble. La gran mejora en el rendimiento aleatorio permite cargas más rápidas para el realismo de los juegos en PS5 y juegos de PC con DirectStorage⁴.


ESPECIFICACIONES

Aplicación
- PC
- Consolas

Capacidad nominal
- 4.000 GB (1 GB = 1 billón de bytes por IDEMA) * La capacidad utilizable real puede ser menor (debido al formateo, partición, sistema operativo, aplicaciones o de otro tipo)

Factor de forma
- M.2 (2280)

Interfaz
- PCIe Gen 4.0 x4
- NVMe 2.0

Dimensiones (ancho x alto x profundidad)
- 80 x 22 x 2,3 mm

Peso
- 9,0 g

Memoria de almacenamiento
- Samsung V-NAND TLC

Controlador
- Controlador interno de Samsung

Memoria caché
- Samsung SDRAM DDR4 de bajo consumo de 4 GB

Compatibilidad con TRIM
- Soportado

Soporte de S.M.A.R.T
- Soportado

GC (Recolección de basura)
- Algoritmo de recolección automática de basura

Soporte de cifrado
- Cifrado AES de 256 bits (Clase 0)TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada)

Soporte de WWN
- No se admite

Compatibilidad con el modo de suspensión del dispositivo
- Sí

Lectura secuencial
- Hasta 7.450 MB/s * El rendimiento puede variar según el hardware y la configuración del sistema

Escritura secuencial
- Hasta 6.900 MB/s * El rendimiento puede variar según el hardware y la configuración del sistema

Lectura aleatoria (4 KB, QD32)
- Hasta 1.600.000 IOPS * El rendimiento puede variar en función del hardware y la configuración del sistema

Escritura aleatoria (4 KB, QD32)
- Hasta 1.550.000 IOPS * El rendimiento puede variar según el hardware y la configuración del sistema

Lectura aleatoria (4 KB, QD1)
- Hasta 22.000 IOPS * El rendimiento puede variar en función del hardware y la configuración del sistema

Escritura aleatoria (4 KB, QD1)
- Hasta 80.000 IOPS * El rendimiento puede variar según el hardware y la configuración del sistema

Consumo medio de energía (nivel del sistema)
- Promedio: 6,5 W * Máximo: 8,6 W (modo ráfaga) * El consumo de energía real puede variar según el hardware y la configuración del sistema

Consumo de energía (inactivo)
- Máx. 55 mW * El consumo de energía real puede variar según el hardware y la configuración del sistema

Voltaje permitido
- 3,3 V ± 5 % Tensión admisible

Fiabilidad (MTBF)
- Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF)

Temperatura de funcionamiento
- 0 - 70 °C Temperatura de funcionamiento

Shock
- 1.500 G y 0,5 ms (semisinusoidal)